伴随着HBM4内存的出货，全球存储芯片商场在2025年第四季度迎来稀有暴升，一起SK 海力士在其 SK AI峰会2025上发布了内存开展路线图，经过定制化技能以与内存巨子协作，预想了一套全栈 AI 存储解决方案。

  伴随着HBM4内存的出货，适应AI驱动的存储芯片需求激增趋势，全球存储芯片商场在2025年第四季度迎来稀有暴升，三星、SK海力士等头部厂商将DRAM与NAND闪存合同价最高上调30%。

  一起SK 海力士在其 SK AI峰会2025上发布了内存开展路线图，表达了其专心于AI内存的理念，经过定制化技能以与内存巨子协作，预想了一套全栈 AI 存储解决方案,其间最重要的包括三种专为AI开发的内存技能。

  （2026-2028 年）：推出 16 层堆叠 HBM4，HBM4E 阶段正式供给定制化解决方案，公司表明定制HBM便是将GPU和ASIC中的某些功用集成到HBM基板中的产品，以最大化GPU和ASIC的功能，为核算单元开释空间并下降功耗。

  （2029-2031 年）：全方面进入 HBM5（E）代代，继续打破带宽与容量上限，其时已向中心客户交给 12 层堆叠 HBM4 样品。

  现在占有全球 HBM 商场 50% 以上比例，2026年HBM产能已悉数被英伟达、谷歌等巨子预定 。

  以低功耗高功能为中心，下降AI 体系总具有本钱（TCO）并最大极限地进步运营功率。。

  集成核算才能，具有超高的存储量和立异的运算方法，经过跨过 “内存墙” 来提高功率。

  将使用规模拓宽到非数据中心的使用，多元化使用场景。例如机器人、移动出行等。

  以AIN（AI NAND）战略为中心，分为功能、密度、带宽三大产品方向：

  专为大规模AI推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。定位 PCIe Gen6 驱动器，5000 万 IOPS 功能较其时产品提高 7 倍，2026 年末完结样品开发，2027 年方案推出 1 亿 IOPS 类型，合作大规模 AI 的负载。

  一种专心以低功耗、低本钱完结海量数据存储的高容量解决方案，可将存储容量提高至最高PB级，兼具固态硬盘速度与机械硬盘经济性，估计代替传统磁盘驱动器存储海量 AI 数据。

  选用高带宽闪存（HBF）技能，经过笔直堆叠NAND闪存芯片，提高数据传输带宽，吞吐量挨近 HBM 且容量达 SSD 等级，可增强 GPU 有用内存容量以削减 GPU 布置本钱。现在已量产 321 层 QLC 芯片，2026 年上半年出货，后续将推进 400 + 层堆叠 NAND 研制。

  一起依照方案不管HBM仍是DDR、LPDDR，仍是NAND闪存都会有现有规范的扩展，传统内存方面，DDR6内存、GDDR8显存都在酝酿之中，DDR6发展更快，三大厂都已完结原型规划，正在做验证测验，估计起步频率就高达8800MT/s，最高或许冲到17600MT/s。

  GDDR8明显会比DDR6要慢一些，现在GDDR7显存也只使用在英伟达RTX 50系列，但是在露出的路线图上有注意到“GDDR7-NEXT”，也证明GDDR8还在推进之中。

  PCIe的更新迭代则非常的敏捷，现在各大厂商量产的主力仍是200层左右的，部分能做到230-260+层，未来两年应该会是300+层的量产年代。估计29年PCIe 7.0技能的硬盘将会面世，闪存的层数也会提高到400层以上。

  400+闪存和PCIe 7.0的参加，会让其时的SSD容量及功能再上一个台阶，而PCIe 8.0则是面向AI与超算年代的基础设施革新，1 TB/s带宽将彻底消除算力集群的I/O瓶颈，乃至其技能演进或许推进2030年后核算架构的重构。

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